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# 查找 # 查找基本概念 平均查找长度（ASL） 是衡量查找算法效率的重要指标，其计算公式为： ASL=∑PiCiASL = \sum P_i C_iASL=∑Pi​Ci​ 其中，PiP_iPi​ 是第 iii 条记录的查找概率，CiC_iCi​ 是第 iii 条记录的查找长度。 # 线性表查找 线性表查找主要包括顺序查找和折半查找。不同数据结构的线性表在查找、插入和删除操作上的效率差异显著： 数据结构 查找 插入 删除 无序顺序表 O(n)O(n)O(n) O(1)O(1)O(1) O(n)O(n)O(n) 无序线性链表 O(n)O(n)O
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# 基本概念 # 数据与数据结构 数据结构：描述现实世界实体之间的数学模型，以及在计算机中的表示与实现。 数据元素（Data Element）：数据的基本单位，通常被视为一个整体。 数据项（Data Item）：数据结构中讨论的最小单位，是构成数据元素的最小不可分割的部分。 数据类型：一个值的集合和定义在该集合上的一组操作的总称。在高级语言中，数据类型可分为原子类型（不可再分）和结构类型（由多个值组成）。 抽象数据类型（ADT）：一个数学模型以及定义在该模型上的一组操作。 # 关系与性质 二元关系：元素之间的一一对应关系，可以用笛卡尔积来表示。 等价关系：满足自反性、对称性、传递性的关
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# 负阻元件 负阻元件是指在一定偏置条件下，其电压和电流关系呈现负斜率的元器件。根据其伏安特性曲线的形状，可分为S型负阻和N型负阻。 # 晶体管与负阻 # S型负阻 S型负阻的典型例子是肖克利二极管。它本质上等效于两个晶体管的正反馈连接，其伏安特性曲线可分为三个区域：高阻区、负阻区和低阻区。 # N型负阻 N型负阻可由两个非门的正反馈连接实现，常用于构成0/1存储单元，如计算机中的高速缓存（SRAM）。而主存（DRAM） 则使用记忆电容来代替这三个晶体管。 # 负阻的记忆与振荡 负阻元件具有非线性特性，可以通过与电容或电感等储能元件配合，实现不同的记忆或振荡功能。 # 负阻振荡 负阻
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# 放大器与反馈网络 负反馈是放大器设计中的重要概念，它通过将一部分输出信号返回到输入端，以改善放大器的性能。 闭环放大器：由原始放大器与反馈网络共同构成，通常可以简化为开环放大器和理想反馈网络的串联或并联组合。 开环放大器：由原始放大器考虑反馈网络负载效应后的等效电路。 # 网络参量与符号表示 在分析负反馈电路时，需要区分两种不同的网络参量： 最适网络参量：与受控源类型相匹配的参量，常用于描述开环放大器的特性。 表示网络参量：用于网络相加的参量，与最适网络参量互逆，常用于描述反馈网络的特性。 常用符号： 增益： Gm0,Rm0,Av0,Ai0G_{m0}, R_{m0}, A_
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# 概述 晶体管放大器在不同频率下表现出不同的特性，通常呈现带通特性。 工作区：在放大器的中频工作区，耦合电容和旁路电容可视为短路，而晶体管的寄生电容可视为断路。 低频区：放大器增益下降。该特性由耦合电容和旁路电容决定。 高频区：放大器增益下降，并可能失去有源性。该特性由晶体管的寄生电容决定。 # 晶体管的寄生效应 晶体管的频率特性主要由其内部的寄生电容和寄生电阻决定。 寄生参数：晶体管（如 BJT 和 MOSFET）在高频小信号 π\piπ 模型中，存在寄生电容和寄生电阻。 寄生电容：通常为皮法（10−1210^{-12}10−12）量级。为了在高频时能将其视为断路，要求其电容值越
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# 高增益放大器 高增益放大器用于放大微弱信号，使其幅值足以被后续电路处理。 # 反相跨导放大器 高增益放大器通常采用反相跨导放大器。它通过有源负载实现高增益。但其缺点是在连接重负载时，增益会降低。 # 放大器级联与缓冲 为了获得更高的增益，可采用级联的方式。单向网络（即信号只从前一级流向后一级）的总传递函数等于各级分传递函数的乘积。因此，通过级联多个反相跨导放大器，可以获得极高的增益，例如 741 放大器就采用了这种设计。 为了隔离负载对放大器的影响，可在反相跨导放大器后添加电压缓冲器。 # 运算放大器通用结构 运算放大器通常采用三级结构，级与级之间采用直接耦合方式，以实现对直流信号的放大
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# 概述 小信号放大是电路分析中的重要方法，它通过将非线性电路在某个直流工作点附近进行线性化，从而简化对交流信号的分析。 # 交直流功率分析 总功率PtotalP_{total}Ptotal​由直流功率PDCP_{DC}PDC​和交流功率PACP_{AC}PAC​两部分组成。其中，交流功率通常使用交流电阻和有效值电压来计算。 Ptotal=PDC+PACP_{total} = P_{DC} + P_{AC} Ptotal​=PDC​+PAC​ # 小信号分析步骤 小信号分析通常遵循以下步骤： 直流分析：将交流激励置零，进行直流分析，确定非线性元件的工作点。 交流
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# 反相电路 反相电路是模电与数电中的基本单元，主要分为 NMOS、CMOS 和 BJT 三类反相器。 # NMOS 反相器 NMOS 反相器是基础的反相电路，其分析通常遵循以下步骤： 直观判断功能特性：首先从整体上理解电路，其核心功能是实现反相。 确定工作区及分区界点： 图解法：通过器件特性曲线的对接关系来直观确定。 解析法：通过公式计算各工作区的边界条件。 写出各分区输出信号表达式：根据第二步确定的工作区，写出对应的输出电压表达式。 功能解析：深入理解电路在不同工作模式下的应用： 恒流区：可用作小信号线性放大器。 数字非门：用作数字逻辑电路的基本单元。 开关：在数字电路中作为受控
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# MOSFET # 分段线性化电路模型 截止区： 开路模型。 欧姆区： 受控电阻模型。 栅极电流 iG=0i_G = 0iG​=0 漏极电流 iD=vDS/roni_D = v_{DS}/r_{on}iD​=vDS​/ron​ 导通电阻 ron=(diDdvDS)vDS=0−1=12βn(vGS−VTH)r_{on} = (\frac{di_D}{dv_{DS}})^{-1}_{v_{DS}=0} = \frac{1}{2\beta_n(v
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# 晶体管的类型与工作原理 晶体管是电子电路中的核心元件，其基本原理是利用一个控制信号来改变导电通道的性质，从而实现电流的控制。根据控制方式的不同，晶体管主要分为以下几类： 场效应晶体管（FET） 通过控制导电通道的厚度来改变电阻。 结型场效应晶体管（JFET） 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） 双极结型晶体管（BJT） 通过控制载流子（电子、空穴）的浓度来改变导电性。 # 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） # 结构与连接方式 MOSFET 的主要端子包括 源极（S）、栅极（G）、漏极（D）和衬底（B）。在电路中，源极（S）通常连接到最低电平，