1. PN结电路特性
# 半导体物理基础
# 迁移率与电导率
迁移率($ \mu $):描述带电粒子在材料内部移动能力的物理量。
v=μEv = \mu Ev=μE,其中 vvv 是载流子在电场 EEE 作用下的漂移速度。
电导率($ \sigma $):衡量材料导电性能的物理量。
σn=neμe\sigma_n = ne\mu_eσn=neμe(n型半导体,由电子贡献)
σp=peμh\sigma_p = pe\mu_hσp=peμh(p型半导体,由空穴贡献)
# 掺杂
向本征半导体中添加少量杂质,可
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